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Si8465DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
t 1
t 2
0.1
0.1
0.05
0.02
S ingle    Pulse
N otes:
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 100 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient (1" x 1" FR4 Board with Full Copper)
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
N otes:
P DM
t 1
t 2
t 2
0.01
0.02
Single Pulse
t 1
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 190 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient (1" x 1" FR4 Board with Minimum Copper)
www.vishay.com
6
Document Number: 65363
S09-1922-Rev. A, 28-Sep-09
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